Stratix™ II器件具有TriMatrix存储结构，它包括三种大小的嵌入式RAM块。 TriMatrix存储器包括512bit的M512块，4Kbit的M4K块和512Kbit的M-RAM块，每个都可以配置支持各种特性。TriMatrix存储器结构提供了多达9Mbit的RAM，使得Stratix II器件系列成为大存储量应用的可行方案。
TriMatrix存储器提供了三种存储结构，能够实现复杂设计中的各种存储功能。设计者能够在存储带宽苛刻的应用中使用更小的M512RAM块作为FIFO功能和时钟域缓冲。M4K块是中等大小存储应用的理想选择，比如异步传输模式（ATM）信元处理。M-RAM块非常适合于诸如IP包缓冲和系统高速缓冲等大缓冲的应用。图1和2为TriMatrix存储结构和各种应用。
图1. TriMatrix存储结构
图2. TriMatrix存储应用
大存储容量
Stratix II器件中高效面积使用率的M-RAM块具有很高的存储和逻辑比率。同样重要的是，Stratix II器件具有更多的M512和M4K块，每个块分别有18比特和36比特宽的数据端口。它们具有最大的FPGA存储带宽，成为需要大量访问存储资源等应用的理想方案。
表1是Stratix II器件中的存储容量。
| 表1. Stratix II器件中的存储资源 | ||||
| 器件 | M512块 | M4K块 | M-RAM块 | 存储总量 |
|---|---|---|---|---|
| EP2S15 | 104 | 78 | 0 | 419,328 |
| EP2S30 | 202 | 144 | 1 | 1,369,728 |
| EP2S60 | 329 | 255 | 2 | 2,544,192 |
| EP2S90 | 488 | 408 | 4 | 4,520,448 |
| EP2S130 | 699 | 609 | 6 | 6,747,840 |
| EP2S180 | 930 | 768 | 9 | 9,383,040 |
高性能TriMatrix存储结构中的RAM块支持许多特性，包括真双口存储器、混合时钟模式和混合数据宽度等，如表2所示。
| 表2：TriMatrix存储特性 | |||
| 存储特性 | M512块 512-bits + 奇偶校验 |
M4K块 4-Kbits + 奇偶校验 |
M-RAM块 512-Kbits + 奇偶校验 |
|---|---|---|---|
| 最大性能 | 500 MHz | 550 MHz | 420 MHz |
| 真双口存储器 | 否 | 是 | 是 |
| 单双口存储器 | 是 | 是 | 是 |
| 单口存储器 | 是 | 是 | 是 |
| Address Enable | 否 | 是 | 是 |
| Byte Enable | 否 | 是 | 是 |
| 奇偶校验位 | 是 | 是 | 是 |
| 移位寄存器 | 是 | 是 | 是 |
| 混合时钟模式 | 是 | 是 | 是 |
| Memory Preload | 是 | 是 | 否 |
| 配置 | 512 x 1 256 x 2 128 x 4 64 x 8 64 x 9 32 x 16 32 x 18 |
4K x 1 2K x 2 1K x 4 512 x 8 512 x 9 256 x 16 256 x 18 128 x 32 128 x 36 |
64K x 8 64K x 9 32K x 16 32K x 18 16K x 32 16K x 36 8K x 64 8K x 72 4K x 128 4K x 144 |
