Stratix® II GX 的TriMatrix™ 存储器基于与Stratix器件相同的创新存储器架构。TriMatrix存储器由三种容量的嵌入式RAM模块构成。TriMatrix存储器包括512位M512模块、4K位M4K模块和512K位M-RAM模块，每一种都可以通过配置来支持多种特性。TriMatrix存储器具有高达9 Mbits的RAM，其体系结构使Stratix II GX器件系列成为大量存储器应用的理想选择。
TriMatrix提供不同的存储器结构，可实现复杂设计中的多种存储器功能。设计人员可以利用较小的M512 RAM模块实现FIFO功能和对存储器带宽要求较高的时钟域缓冲。M4K适用于中等容量的存储器应用，例如异步传送模式（ATM）信元处理等。M-RAM模块适用于容量较大的缓冲应用，如IP数据包缓冲和系统高速缓冲等。图1和图2所示为TriMatrix存储器结构及其各种应用。
图1. TriMatrix存储器结构
图2. TriMatrix存储器应用
高性能、高效率存储器
Stratix II GX器件采用面积利用率较高的M-RAM模块，因此具有非常高的存储器逻辑比。Stratix II GX器件中较小的M512和M4K模块分别具有每模块18位和36位数据端口，可提供最大的FPGA存储器带宽，是存储器密集应用的理想选择。
表1所示为Stratix II GX器件的存储器容量
| 表1. Stratix II GX器件的存储器资源 | ||||
| 器件 | M512 模块 | M4K 模块 | M-RAM 模块 | 存储器总容量（比特） |
|---|---|---|---|---|
| EP2SGX30C/D | 202 | 144 | 1 | 1,369,728 |
| EP2SGX60C/D/E | 329 | 255 | 2 | 2,544,192 |
| EP2SGX90E/F | 488 | 408 | 4 | 4,520,448 |
| EP2SGX130G | 699 | 609 | 6 | 6,747,840 |
高性能TriMatrix存储器RAM模块支持多种特性，包括真双端口存储器、混合时钟模式和混合数据位宽等，如表2所示。
| 表2. TriMatrix存储器特性 | |||
| 存储器特性 | M512模块 512位+校验 |
M4K模块 4K位+校验 |
M-RAM模块 512K位+校验 |
|---|---|---|---|
| 最大性能 | 500 MHz | 550 MHz | 400 MHz |
| 真双端口存储器 | 否 | 是 | 是 |
| 单双端口存储器 | 是 | 是 | 是 |
| 单端口存储器 | 是 | 是 | 是 |
| 寻址使能 | 否 | 是 | 是 |
| 字节使能 | 否 | 是 | 是 |
| 校验位 | 是 | 是 | 是 |
| 移位寄存器 | 是 | 是 | 是 |
| 混合时钟模式 | 是 | 是 | 是 |
| 存储器预加载 | 是 | 是 | No |
| 配置 | 512 x 1 256 x 2 128 x 4 64 x 8 64 x 9 32 x 16 32 x 18 |
4K x 1 2K x 2 1K x 4 512 x 8 512 x 9 256 x 16 256 x 18 128 x 32 128 x 36 |
64K x 8 64K x 9 32K x 16 32K x 18 16K x 32 16K x 36 8K x 64 8K x 72 4K x 128 4K x 144 |
