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Stratix III TriMatrix存储器

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Stratix® III TriMatrix 片内存储器提供三种不同类型的存储器结构,以满足复杂设计的需求: 640 位 MLAB 存储器模块、 9Kbit M9K 模块和 144Kbit M144K 模块 ( 参见图 1) 。小容量存储器模块提供更多的数据端口实现更大的存储器带宽,而大容量存储器模块提供更多的比特用于缓冲。建立在 Stratix II TriMatrix 存储器设计基础之上, Stratix III 存储器模块进一步优化了容量,提高了效率。 MLAB 可以放在器件中的任何位置,非常灵活。 Stratix III 器件存储器总容量达到 20Mbits ,时钟速率 600MHz ,具有很多高级特性,例如误码纠正 (ECC) 和关断模式等。对于密集存储器应用, Stratix III E 器件单位逻辑提供更多的存储器和 DSP 模块。

图 1. TriMatrix 存储器结构

Figure 1. TriMatrix Memory Structure

Stratix III 器件使用含有 10 个 ALM( 自适应逻辑模块 ) 的逻辑阵列模块 (LAB) 来实现 MLAB 。 Stratix III 器件中一半的 LAB 可以配置为 MLAB 。 M9K 和 M144K 是专用存储器资源。 Stratix III FPGA 系列简介 列出了每个 Stratix III 器件的存储器资源。

提高存储器效率和带宽

设计人员可以从三种不同类型的存储器中选择最适合自己应用的模块。 TriMatrix 存储器大大提高了存储器利用率,减小了对存储器级联的要求。 MLAB 和 M9K 模块使 Stratix III 能够比其他 FPGA 提供更多的数据端口和存储器带宽。表 1 显示了怎样利用 TriMatrix 存储器来实现各种存储器应用。

表 1. TriMatrix 存储器应用实例
存储器模块 应用
MLAB
  • 移位寄存器
  • FIFO 小缓冲
  • 滤波延迟线
M9K
  • 通用存储器
  • 数据包帧头或者信元缓冲
M144K
  • 处理器编码存储
  • 数据包缓冲
  • 视频帧缓冲

高级存储器特性

TriMatrix 存储器具有很多高级特性,包括双端口模式等。组合模式允许每个 M9K 或者 M144K 模块分解成两个容量各占一半的存储器。 M144K 模块含有专用 ECC 特性来探测并纠正软错误。这一特性可以采用 MLAB 和 M9K 模块逻辑来实现。没有使用的存储器模块自动进入低功耗模式,进一步降低功耗。表 2 列出了 Stratix III TriMatrix 的高级存储特性:

表 2. TriMatrix 存储器特性
特性 MLAB
640 Bits
M9K
9,216 Bits
M144K
147,456 Bits

性能

625 MHz

600 MHz

600 MHz

深度×最大宽度

32×20

256×36

2,048×72

简单双端口

是

是

是

真双端口

否

是

是

奇偶校验

是

是

是

ECC

是

是

是

组合模式

否

是

是

低功耗模式

是

是

是

移位寄存器

是

是

是

FIFO

是

是

是

初始设定

是

是

是

混合时钟

是

是

是

字节使能

是

是

是

地址时钟使能

是

是

是

相关链接

  • Stratix III 外部存储器接口
  • 存储器技术中心

 

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