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主页 > 产品 > 器件 > Stratix II (和GX) > Stratix II > 特性 > Stratix II器件中的TriMatrix存储器 打印此页 订阅电邮新闻 Stratix II器件中的TriMatrix存储器 Stratix™ II器件具有TriMatrix存储结构，它包括三种大小的嵌入式RAM块。 TriMatrix存储器包括512bit的M512块，4Kbit的M4K块和512Kbit的M-RAM块，每个都可以配置支持各种特性。TriMatrix存储器结构提供了多达9Mbit的RAM，使得Stratix II器件系列成为大存储量应用的可行方案。 TriMatrix存储器提供了三种存储结构，能够实现复杂设计中的各种存储功能。设计者能够在存储带宽苛刻的应用中使用更小的M512RAM块作为FIFO功能和时钟域缓冲。M4K块是中等大小存储应用的理想选择，比如异步传输模式（ATM）信元处理。M-RAM块非常适合于诸如IP包缓冲和系统高速缓冲等大缓冲的应用。图1和2为TriMatrix存储结构和各种应用。 图1. TriMatrix存储结构 图2. TriMatrix存储应用 大存储容量 Stratix II器件中高效面积使用率的M-RAM块具有很高的存储和逻辑比率。同样重要的是，Stratix II器件具有更多的M512和M4K块，每个块分别有18比特和36比特宽的数据端口。它们具有最大的FPGA存储带宽，成为需要大量访问存储资源等应用的理想方案。 表1是Stratix II器件中的存储容量。 表1. Stratix II器件中的存储资源 器件 M512块 M4K块 M-RAM块 存储总量 EP2S15 104 78 0 419,328 EP2S30 202 144 1 1,369,728 EP2S60 329 255 2 2,544,192 EP2S90 488 408 4 4,520,448 EP2S130 699 609 6 6,747,840 EP2S180 930 768 9 9,383,040 高性能TriMatrix存储结构中的RAM块支持许多特性，包括真双口存储器、混合时钟模式和混合数据宽度等，如表2所示。 表2：TriMatrix存储特性 存储特性 M512块 512-bits + 奇偶校验 M4K块 4-Kbits + 奇偶校验 M-RAM块 512-Kbits + 奇偶校验 最大性能 500 MHz 550 MHz 420 MHz 真双口存储器 否 是 是 单双口存储器 是 是 是 单口存储器 是 是 是 Address Enable 否 是 是 Byte Enable 否 是 是 奇偶校验位 是 是 是 移位寄存器 是 是 是 混合时钟模式 是 是 是 Memory Preload 是 是 否 配置 512 x 1 256 x 2 128 x 4 64 x 8 64 x 9 32 x 16 32 x 18 4K x 1 2K x 2 1K x 4 512 x 8 512 x 9 256 x 16 256 x 18 128 x 32 128 x 36 64K x 8 64K x 9 32K x 16 32K x 18 16K x 32 16K x 36 8K x 64 8K x 72 4K x 128 4K x 144 相关链接 Stratix II器件中的外部存储器件接口 存储技术中心 DRAM器件 SRAM器件  给本页评分

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