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主页 > 产品 > 器件 > Stratix II (和GX) > Stratix II GX > 特性 > Stratix II GX 器件的TriMatrix存储器 打印此页 订阅电邮新闻 Stratix II GX 器件的TriMatrix存储器 Stratix® II GX 的TriMatrix™ 存储器基于与Stratix器件相同的创新存储器架构。TriMatrix存储器由三种容量的嵌入式RAM模块构成。TriMatrix存储器包括512位M512模块、4K位M4K模块和512K位M-RAM模块，每一种都可以通过配置来支持多种特性。TriMatrix存储器具有高达9 Mbits的RAM，其体系结构使Stratix II GX器件系列成为大量存储器应用的理想选择。 TriMatrix提供不同的存储器结构，可实现复杂设计中的多种存储器功能。设计人员可以利用较小的M512 RAM模块实现FIFO功能和对存储器带宽要求较高的时钟域缓冲。M4K适用于中等容量的存储器应用，例如异步传送模式（ATM）信元处理等。M-RAM模块适用于容量较大的缓冲应用，如IP数据包缓冲和系统高速缓冲等。图1和图2所示为TriMatrix存储器结构及其各种应用。 图1. TriMatrix存储器结构 图2. TriMatrix存储器应用 高性能、高效率存储器 Stratix II GX器件采用面积利用率较高的M-RAM模块，因此具有非常高的存储器逻辑比。Stratix II GX器件中较小的M512和M4K模块分别具有每模块18位和36位数据端口，可提供最大的FPGA存储器带宽，是存储器密集应用的理想选择。 表1所示为Stratix II GX器件的存储器容量 表1. Stratix II GX器件的存储器资源 器件 M512 模块 M4K 模块 M-RAM 模块 存储器总容量（比特） EP2SGX30C/D 202 144 1 1,369,728 EP2SGX60C/D/E 329 255 2 2,544,192 EP2SGX90E/F 488 408 4 4,520,448 EP2SGX130G 699 609 6 6,747,840 高性能TriMatrix存储器RAM模块支持多种特性，包括真双端口存储器、混合时钟模式和混合数据位宽等，如表2所示。 表2. TriMatrix存储器特性 存储器特性 M512模块 512位+校验 M4K模块 4K位+校验 M-RAM模块 512K位+校验 最大性能 500 MHz 550 MHz 400 MHz 真双端口存储器 否 是 是 单双端口存储器 是 是 是 单端口存储器 是 是 是 寻址使能 否 是 是 字节使能 否 是 是 校验位 是 是 是 移位寄存器 是 是 是 混合时钟模式 是 是 是 存储器预加载 是 是 No 配置 512 x 1 256 x 2 128 x 4 64 x 8 64 x 9 32 x 16 32 x 18 4K x 1 2K x 2 1K x 4 512 x 8 512 x 9 256 x 16 256 x 18 128 x 32 128 x 36 64K x 8 64K x 9 32K x 16 32K x 18 16K x 32 16K x 36 8K x 64 8K x 72 4K x 128 4K x 144 相关链接 Stratix II GX器件的外部存储器接口 存储器技术中心 给本页评分

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