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主页 > 产品 > 器件 > Stratix (和GX) > Stratix GX > 特性 > Stratix GX器件中的TriMatrix存储器 打印此页 订阅电邮新闻 Stratix GX器件中的TriMatrix存储器 Stratix GX™器件具有TriMatrix™存储结构，它包括三种大小的嵌入式RAM块。TriMatrix存储器包括512bit的M512块，4Kbit的M4K块和512Kbit的M-RAM块，每个都可以配置支持各种特性。TriMatrix存储器结构提供了多达3.4Mbit的RAM和高达4Tbps的器件存储带宽，使得Stratix GX器件系列成为大存储量应用的可行方案。 TriMatrix存储器提供了三种存储结构，能够实现复杂设计中的各种存储功能。设计者能够在存储带宽苛刻的应用中使用更小的M512RAM块作为FIFO功能和时钟域缓冲。革命性的M-RAM块满足了诸如IP包缓冲和系统高速缓冲等大缓冲应用对现场可编程门阵列（FPGA）对需求。M4K块是中等大小存储应用的理想选择，比如异步传输模式（ATM）信元处理。图1和2为TriMatrix存储结构和各种应用。 图1. TriMatrix存储结构 图2. TriMatrix存储应用 大存储带宽和容量 Stratix GX器件中高效面积使用率的M-RAM块具有很高的存储和逻辑比率。同样重要的，Stratix GX器件具有更多的M512和M4K块，每个块分别有18比特和36比特宽的数据端口。M512和M4K块代表了大的FPGA存储带宽，使之成为需大量访问存储资源应用的理想方案。 存储带宽度量通过存储块的数据量，定义为存储端口宽度和RAM块性能的乘积。EP1SGX40D和EP1SGX40G器件有14,000多个数据端口――每个端口传输数据率超过250MHz，Stratix GX器件具有超过4Tbps的存储带宽（见表1）。 表1：Stratix GX器件带宽(1) 器件 逻辑单元 （LE） 收发器通道 RAM总数 M-RAM块 (512 Kbits) M4K块 (4 Kbits) M512块 (512 Bits) 总存储带宽 (Mbps) EP1SGX10C 10,570 4 920,448 1 60 94 1,208,350 EP1SGX10D 10,570 8 920,448 1 60 94 1,208,350 EP1SGX25C 25,660 4 1,944,576 2 138 224 2,812,280 EP1SGX25D 25,660 8 1,944,576 2 138 224 2,812,280 EP1SGX25F 25,660 16 1,944,576 2 138 224 2,812,280 EP1SGX40D 41,250 8 3,423,744 4 183 384 4,280,440 EP1SGX40G 41,250 20 3,423,744 4 183 384 4,380,440 注释： 1. 不包括外部存储器件接口相关的带宽配置。 高性能TriMatrix存储结构中的RAM块具有一下特性： 复杂存储功能的真双口 奇偶校验比特 嵌入式移位寄存器功能 混合时钟模式 字节使能支持 混合宽度支持 每个RAM块可配置存储宽度（见表2） 表2：TriMatrix存储特性 存储特性 M512块 512 Bit + 奇偶校验 M4K 块 4 Kbits + 奇偶校验 M-RAM 块 512 Kbits + 奇偶校验 最大性能 318 MHz (1) 291 MHz (2) 287 MHz (3) 真双口存储器   单双口存储器 单口存储器 字节使能   奇偶校验位 移位寄存器 混合时钟模式 配置 512 x 1 256 x 2 128 x 4 64 x 8 64 x 9 32 x 16 32 x 18 4K x 1 2K x 2 1K x 4 512 x 8 512 x 9 256 x 16 256 x 18 128 x 32 128 x 36 64K x 8 64K x 9 32K x 16 32K x 18 16K x 32 16K x 36 8K x 64 8K x 72 4K x 128 4K x 144 注释： 配置：单双口RAM 32×18bit和FIFO 32×18bit 配置：单双口RAM 128×36bit，正双口RAM128×18bit和FIFO 128×36bit 配置：真双口RAM 32K×9bit 相关链接 Stratix GX器件中的外部存储器件 Stratix GX器件中的SRAM支持 Stratix GX器件中的DRAM支持 存储方案中心 Using TriMatrix Embedded Memory Blocks in Stratix & Stratix GX Devices chapter of the Stratix Device Handbook Transitioning APEX Designs to Stratix Devices chapter of the Stratix Device Handbook AN 207: TriMatrix Memory Selection Using the Quartus II Software AN 210: Converting Memory from Asynchronous to Synchronous for Stratix & Stratix GX Designs The Need for a High-Bandwidth Memory Architecture in PLDs White Paper • 有关TriMatrix存储性能的详细资料，请下载Stratix GX数据手册 给本页评分

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