存储器解决方案中心——DDR3 SDRAM
在工艺、电压和温度变化时，为能够使Stratix® III FPGA支持533-MHz DDR3，使 HardCopy® III ASIC 性能达到400MHz (1)，Altera开发了动态自校准 PHY 宏功能，称为 altmemphy 。
如图1所示，altmemphy数据通路宏功能充分利用了Stratix III FPGA和HardCopy III ASIC中的DDR3优化I/O结构，它包括读写调平功能、DQ去斜移I/O延时等，并使用了可配置锁相环(PLL)来补偿电压和温度变化。启动时，altmemphy通过训练模式来校准、消除Altera® 器件和存储器件中的工艺偏差。在工作期间，跟踪机制跟踪并补偿 Altera 器件的电压和温度变化，并且不会中断数据传输。
图1. 针对DDR3 SDRAM优化的动态自校准PHY宏功能
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Altera 还进一步将物理接口和控制器分成两种产品。这样，客户和第三方知识产权 (IP) 供应商在利用 Altera® 物理接口的基础上，能够设计自己的专用控制器。
Altera 物理接口既含有硬件功能也有软核逻辑，主要用于保证 FPGA 和存储器之间的数据传输，包括不同时钟域之间的交叉连接等。存储控制器 IP 是全同步逻辑，在应用域和存储域之间完成转换功能，处理逐周期时序问题。
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注释:
1. HardCopy的性能取决于设计以及未定的芯片特性结果。
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