在工艺、电压和温度变化时,为能够支持533-MHz DDR3,Altera开发了动态自校准 PHY 宏功能,称为 altmemphy 。
如图1所示,altmemphy数据通路宏功能充分利用了Stratix® IV,Stratix III FPGA和HardCopy® IV,HardCopy III ASIC中的DDR3优化I/O结构,它包括读写调平功能、DQ去斜移I/O延时等,并使用了可配置锁相环(PLL)来补偿电压和温度变化。在Arria® II GX FPGA中,存在于ALTMEMPHY里的这些特点, 提供了成本优化,全功能存储器接口解决方案。启动时,altmemphy通过训练模式来校准、消除Altera® 器件和存储器件中的工艺偏差。在工作期间,跟踪机制跟踪并补偿 Altera 器件的电压和温度变化,并且不会中断数据传输。
图1. 针对DDR3 SDRAM优化的动态自校准PHY宏功能
Altera 还进一步将物理接口和控制器分成两种产品。这样,客户和第三方知识产权 (IP) 供应商在利用 Altera® 物理接口的基础上,能够设计自己的专用控制器。
Altera 物理接口既含有硬件功能也有软核逻辑,主要用于保证 FPGA 和存储器之间的数据传输,包括不同时钟域之间的交叉连接等。存储控制器 IP 是全同步逻辑,在应用域和存储域之间完成转换功能,处理逐周期时序问题。
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