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存储器解决方案中心:DDR2 SDRAM

Altera开发了能够动态自校准的数据通路宏功能altmemphy,它消除了工艺偏差问题,补偿电压和温度变化,从而获得了更大的余量(参见表1和表2)。

1. altmemphy宏功能和DDR SDRAM高性能控制器 (带有独立控制器新的自动 PHY)

数据速率 (Mbps)

频率 (MHz)

支持的FPGA

400

200

Stratix® III、Stratix II、Stratix II GX、Cyclone® III


2. DDR SDRAM控制器MegaCore功能
(原有的集成静态数据通路和控制器)

数据速率 (Mbps)

频率 (MHz)

支持的FPGA

400

200

Stratix II、Stratix II GX、HardCopy® II、Stratix、Cyclone II、Cyclone

选择合适的内核

关于什么时候使用新的altmemphy宏功能和控制器以及原有静态时序组合PHY和控制器知识产权(IP)内核的详细信息,请参考Stratix II 器件的外部存储器接口选择 (PDF)

Altmemphy宏功能的详细信息

altmemphy宏功能充分利用了Stratix® II、Stratix II GX、Stratix III 和Cyclone III 器件I/O结构以及可重新配置的锁相环 (PLL)。它使用训练模式和校准功能来消除FPGA和存储器中的工艺偏差问题。此外,在工作期间,它利用跟踪机制来跟踪并补偿 FPGA 内部的电压或者温度变化,而且不会中断数据传输。

PHY(altmemphy)和相关的控制器 (DDR SDRAM高性能控制器 ) 是两种不同的产品。传统的DDR SDRAM控制器 MegaCore® 功能是一种集成的 PHY 和控制器解决方案。之所以将新产品的 PHY接口和控制器分开,是为了使用户和第三方知识产权(IP)供应商在利用Altera® PHY接口的基础上,设计自己的专用控制器。

PHY接口(altmemphy)既含有硬件功能也有软核逻辑,主要用于保证FPGA和存储器之间的数据传输,包括不同时钟域之间的交叉连接等。存储控制器IP是全同步逻辑,在应用域和存储域之间完成转换功能,处理逐周期时序问题。

相关链接

 
信号完整性中心

存储器解决方案中心

存储器界面设计在线示范

   
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