Stratix® 10 DRAM系统级封装(SiP)解决方案集成了SK Hynix的3D堆叠宽带存储器(HBM)以及高性能单片14 nm FPGA管芯。

Altera的DRAM SiP解决方案代表了FPGA业界存储器带宽最高的新一类器件。相对于分立DRAM解决方案,Altera Stratix 10 DRAM SiP的存储器带宽提高了10倍。这说明在满足下一代存储器带宽需求上实现了关键突破。

DRAM SiP解决方案消除了数据量日益增长的高性能系统的存储器带宽瓶颈;包括,数据中心、广播、固网和高性能计算系统等。Stratix 10 DRAM SiP支持用户获得存储器最高带宽和系统最低功耗,从而实现了最佳带宽/瓦指标。此外,Stratix 10 DRAM SiP还将帮助用户减小外形封装,显著提高了易用性。

存储器靠近和存储器远离

Altera的Stratix 10 DRAM SiP解决方案是一种存储器靠近实现方案,高密度DRAM在同一个封装中与FPGA集成的非常近。在这种配置中,与传统的主存储器相比,对封装内存储器的访问非常快,带宽提高了10倍。存储器靠近这种配置缩短了FPGA与存储器之间的走线长度,从而降低了系统功耗,减小了电路板面积。

Intel EMIB封装技术

Intel的专利嵌入式多管芯互联桥接(EMIB)技术支持系统关键组件的封装内高效集成,例如,模拟器件、存储器、ASIC、CPU,等。与其他封装内集成技术相比,EMIB的制造流程更简单。EMIB避免了使用直通硅过孔(TSV)和特殊的中介层硅。结果是高度集成的系统级封装产品,提高了性能,降低了复杂度,同时获得了优异的信号和电源完整性。关于Intel EMIB技术的其他信息,请访问http://www.intel.com/content/www/us/en/foundry/emib.html的Intel定制代工线网站。

EMIB是Altera异构SiP器件所使用的关键支撑技术之一。Altera使用EMIB来开发高度集成的SiP产品,在一个封装中结合了单片FPGA内核架构与其他先进的组件。